주석산화물 기반 극자외선 리소그래피용 포지티브형 포토레지스트 소재 개발

AI요약

삼성전자와 서울시립대 공동 연구팀이 차세대 반도체 미세 공정의 핵심인 EUV 리소그래피용 신개념 포토레지스트를 개발하였습니다. 본 연구는 기존 기술로 구현하기 어려웠던 10나노미터 수준의 정밀한 양각 패턴 형성을 가능하게 한 것이 주요 성과입니다. 주석산화물 나노소재를 활용한 이 포토레지스트는 반도체 집적회로 제작 공정의 자유도와 정밀도를 획기적으로 향상시킬 것으로 기대됩니다. 이번 연구 성과는 세계적인 학술지 'Advanced Functional Materials'에 게재되었으며, 국내 반도체 기술 발전에 크게 기여하였습니다. 이 기술은 미래 반도체 산업의 경쟁력을 높이는 데 중요한 역할을 할 것입니다.