인하대, 텔루렌 나노필름 3단 논리 구현 성공

AI요약

이진법 반도체의 한계를 극복하고 차세대 AI 반도체 설계에 혁신을 가져올 연구 성과가 발표되었습니다. 기존 이진법 기반 반도체는 성능 향상을 위해 발열 및 전력 소모 문제에 직면해 있습니다. 이를 해결하기 위해 이문상·함명관 교수 연구팀은 20nm 텔루렌 나노필름을 활용, 0, 1, 2 세 단계 출력을 구현하는 3진 트랜지스터 인버터 회로를 성공적으로 시연하였습니다. 이는 복잡한 공정 없이 단일 2D 소재로 다치 논리를 구현한 최초의 사례이며, 초저전력 연산 환경에 적합한 가능성을 보여주었습니다. 본 기술은 차세대 AI 반도체 설계의 핵심 토대가 될 것으로 기대됩니다.